三星电子高管预计，高带宽内存（HBM）在全球DRAM晶圆产能中的占比将持续攀升，对传统内存供应形成挤压，并推动整体内存价格进一步上行。
据路透社报道，三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示，HBM预计将在明年（2027年）占据全球DRAM行业晶圆总产能的近30%，高于目前约20%的水平。Kim Taewoo同时指出，HBM与传统DRAM共用同一晶圆产能，HBM的持续扩张将进一步压缩传统DRAM的供应空间。
市场研究机构TrendForce预计，受AI服务器需求持续增长驱动，HBM与传统DRAM对先进制程及晶圆产能的竞争将延续，叠加次世代产品良率与产出爬坡需要时间，2027年内存市场供应料将维持偏紧态势。TrendForce已上调2027年HBM价格展望，预计混合平均售价（Blended ASP）将同比大幅跳升121%。
三星HBM产能扩张提速，HBM4系列主导出货在公司层面，三星的HBM产能扩张力度同样不容小觑。据首尔经济日报援引业界估算，三星HBM晶圆月均投片量有望从今年约18万片提升至2027年的约25万片，增幅接近40%。
产品结构方面，随着HBM4E量产规模逐步扩大，HBM4系列产品预计将占三星明年HBM出货量的约80%，较今年约40%的占比大幅提升。这一结构性转变意味着更高单价产品在出货组合中的权重显著增加，将进一步支撑整体售价中枢上移。
HBM晶圆消耗效率是传统DRAM三倍，供应挤压效应被放大HBM对传统DRAM供应的冲击，因其更高的晶圆消耗特性而被进一步放大。据集微网（ijiwei）数据，HBM消耗的晶圆面积约为传统DRAM的三倍——单颗HBM芯片所占用的晶圆面积，大致相当于生产3GB DDR5所需的面积。
这意味着，当HBM在DRAM产能中的占比从20%提升至30%时，传统DRAM供应实际受到的排挤幅度，可能达到该比例变化的两到三倍。对于依赖传统DRAM的消费电子、PC及服务器等下游市场而言，供应收紧的压力或将比表面数字所呈现的更为显著。
供应持续偏紧，2027年HBM价格展望大幅上调产能结构性转移与需求持续旺盛，共同构成内存市场价格上行的核心驱动力。TrendForce指出，供应约束的持续性、HBM4等高价产品占比的提升，以及HBM4E在2027年下半年的逐步量产，均是推动价格预期上调的关键因素。
TrendForce已据此上调2027年HBM混合平均售价预测，预计同比涨幅达121%。在供应商层面，TrendForce亦注意到，各大内存厂商在2027年HBM定价谈判中普遍采取了更为强硬的立场，进一步印证了市场对供应偏紧局面的预期。
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